廣州巨大規模溫度傳感器

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測溫單元形成于空腔上方的廣州規模氧化矽薄膜後得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中,溫度所述測溫單元包括:金屬層,傳感所述金屬層為金屬鉑層,廣州規模所述金屬鉑層呈連續弓字形結構;和第二金屬層,溫度位于所述金屬鉑層外側兩端,傳感用于引出所述溫度傳感器的廣州規模輸出端子。在其中一個實施例中,溫度所述測溫單元包括:多晶矽層,傳感包括并排且間隔設置的廣州規模n型多晶矽條和p型多晶矽條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶矽條之間的溫度金屬結構,所述n型多晶矽條和p型多晶矽條通過所述金屬結構串聯,傳感所述第三金屬層還包括位于所述多晶矽層外側兩端的廣州規模第二金屬結構,用于引出所述溫度傳感器的溫度輸出端子。附圖說明圖為一實施例中溫度傳感器制備方法的傳感方法流程圖;圖a~c為一實施例中溫度傳感器制備方法各步驟對應生成的結構剖視圖。圖為一實施例中溫度傳感器側視圖;圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖;圖為另一實施例中溫度傳感器側視圖;圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解,下面将參照相關附圖對進行更的描述。附圖中給出了的實施例。但是,可以以許多不同的形式來實現,并不限于本文所描述的實施例。相反地。提供這些實施例的目的是使對的公開内容更加透徹。除非另有定義。溫度傳感器深圳哪家較好的,認準深圳美信美。廣州巨大規模溫度傳感器

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n型多晶矽條和p型多晶矽條通過金屬結構串聯,第三金屬層還包括位于多晶矽層外側兩端的第二金屬結構,用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖和圖,在多晶矽層上澱積第三金屬層,第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶矽條之間以連接該多晶矽條,具體為位于相鄰多晶矽條端部位置,所有n型多晶矽條和p型多晶矽條通過該金屬結構形成一串聯結構,因此,當具有m個多晶矽條時,需要m-個金屬結構使多晶矽條串聯起來。一個n型多晶矽條與一個p型多晶矽條串聯形成一個塞貝克(seebeck)結構,在本方案中,是多個塞貝克結構串聯形成一個測溫單元,因此,m需為偶數。第二金屬結構澱積于多晶矽層外側的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結構,利用半導體兩端的溫度不同時。會在半導體内部産生溫差電動勢,不同類型的半導體其溫差電動勢不同,将兩種半導體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流産生,半導體兩端的溫差不同時,所産生的電動勢不同。在本方案中。采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯,可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中。

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再在高溫環境下進行退火,由于高溫環境下矽原子會發生遷移,矽原子發生遷移後矽片内部的結構會發生改變,之前的若幹溝槽會相互連通以在矽片内部形成一空腔結構。氧化空腔上部的矽片部分可以得到所需的氧化矽薄膜,然後在氧化矽薄膜上澱積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化矽薄膜和位于空腔下部的矽,即氧化矽薄膜和矽通過空腔隔開,基底下部的矽不會影響上部氧化矽的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝将基底下部的矽刻蝕掉,從而縮短産品制備的時間,且節約了成本。在其中一個實施例中,所述溝槽的寬度範圍為μm~μm,所述溝槽的深度範圍為μm~μm,所述相鄰溝槽之間的間隔範圍為μm~μm。在其中一個實施例中,所述熱退火具體為在氫氣環境中熱退火,所述熱退火的溫度為℃。在其中一個實施例中,在得到所述氧化矽薄膜後還包括在所述氧化矽薄膜上形成氮化矽薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中,在所述氧化矽薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化矽薄膜上澱積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續弓字形結構。溫度傳感器供貨商深圳美信美科技有公司連續兩年獲得好的供應商稱号。珠海通訊溫度傳感器哪家公司大

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