江浙滬光聚合型光刻膠顯影
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光緻産酸劑，也具有枝狀結構。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們原本是想要合成一種化學放大型光刻膠，但根據是否後烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現負膠也可呈現正膠性質。曝光後若不後烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結構，生成的光酸不擴散，不會引發t-Boc的離去；曝光區域不溶于水性顯影液，未曝光區域為離子結構，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學放大型負性光刻膠。曝光後若後烘，硫鎓鹽光解産生的酸引發鍊式反應，t-Boc基團離去露出酚羟基；使用堿性顯影液，曝光區域的溶解速率遠遠大于未曝光區域，因此又可作為化學放大型正性光刻膠。這個工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設計開辟了新思路。光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質量控制技術和原材料技術。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
目前國内從事半導體光刻膠研發和生産的企業包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽、北京科華等。相關企業以i 線、g線光刻膠生産為主，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領域，北京科華、博康已實現量産。國内在ArF光刻膠領域産業化進程相對較快的企業為南大光電，其先後承擔國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠産品關鍵技術研發項目”和“ArF光刻膠産品的開發和産業化項目”，公司自主研發的ArF光刻膠産品成為國内通過客戶驗證的國産ArF光刻膠，其他國内企業尚處于研發和驗證階段。半導體光刻膠其他助劑光刻膠的國産化公關正在展開，在面闆屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競争力的本土企業。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與産酸劑具有優良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發的後續反應實現光刻膠所需的性能。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。
有研究結果表明，在EUV光照下，某特定光刻膠分子每吸收一個光子可以産生2.1個活性物種，這一效率分别是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻膠材料中有二次電子的産生，EUV光刻在機理上與電子束光刻有相近之處。因為商用EUV光刻機價格昂貴，對光刻膠材料研發人員開放的同步輻射EUV幹涉線站機時有限，所以近年來，在EUV光刻膠的研發過程中也常利用電子束光刻開展相關機理、工藝研究和基本性能的評測，也有一些尚未實際應用于EUV光刻但已有電子束光刻研究結果的光刻膠。根據應用領域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術門檻逐漸遞增。
非常常見的單分子樹脂化合物的分子拓撲結構有枝狀（或星形）、環狀（包括梯形）、螺環狀以及四面體結構等等。其主要結構通常為具有非對稱、非平面的組分。對于化學放大光刻膠，芳香環上會連有酸敏離去基團保護的酸性官能團。非對稱、非平面結構可以防止體系因π-π堆積而結晶，芳香環的剛性可以确保光刻膠具有較好的熱穩定性、玻璃化轉變溫度和抗刻蝕性，酸敏可離去基團則可在光酸的作用下使酸性官能團裸露出來，實現溶解性的改變。聚合度越小，發生微相分離的尺寸越小，對應的光刻圖形越小。江蘇彩色光刻膠顯示面闆材料
在PCB行業：主要使用的光刻膠有幹膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的幹法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發出的紫外輻射并發生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是别的化合物液體。光刻光源發出的輻射經過這些液體的時候發生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實現這個目的的一種方法是在開始光刻過後平移同一個光罩進行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進行了兩次塗膠，兩次光刻和兩次刻蝕。随着光刻膠技術的進步，隻需要一次塗膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
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