南京特大規模溫度傳感器工藝

涉及溫度傳感器領域，南京特别是規模涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術：溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的溫度基底。溫度傳感器通常以導熱率低的傳感材料做基底，如在二氧化矽上澱積測溫材料形成溫度傳感器。器工在工藝制程中，南京通過氧化矽片以在矽片表面生産一層二氧化矽，規模其中，溫度二氧化矽的傳感導熱率較低，但是器工矽的導熱率較高，為避免通過基底下部的南京矽導熱，通常還需通過深槽刻蝕的規模方式對氧化矽層背面的矽進行刻蝕，如通過氫氧化鉀的溫度刻蝕液進行濕法刻蝕，也可用深反應離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進行幹法刻蝕。傳感無論是器工濕法刻蝕還是幹法刻蝕，其工藝時間都會較長且成本較高。技術實現要素：基于此，有必要針對傳統技術中溫度傳感器以二氧化矽為基底時獲取基底的工藝時間較長且成本較高的問題，提出了一種新的溫度傳感器制備方法。一種溫度傳感器制備方法，包括：在矽片形成若幹溝槽；熱退火使所述若幹溝槽變形後相互連通形成一空腔，且所述矽片在所述空腔上方連接起來，将所述空腔封閉；氧化所述空腔上部的矽片得到氧化矽薄膜；在所述氧化矽薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環境溫度。上述溫度傳感器制備方法，先通過刻蝕在矽片上形成若幹溝槽。穩定的溫度傳感器供應，就找深圳市美信美科技有限公司。南京特大規模溫度傳感器工藝

半導體兩端的溫差不同時，所産生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以将溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，将串聯的多晶矽層作為熱端感測實際環境溫度，當環境溫度發生變化時，冷端和熱端的溫差發生變化，因此冷端的電勢會發生變化，與顯示儀表連接後，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結構，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還需形成有一層鈍化層，可對金屬結構進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設有通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側多晶矽端部的金屬鋁上方的鈍化層開設有通孔。珠海智誠溫度傳感器深圳美信美溫度傳感器質量好。

通過外部供給氧氣或者水蒸氣使之與矽發生化學反應，可以在空腔上方得到一層熱生長的氧化層。由于當氧化層達到一定厚度時，氧化反應幾乎停止，因此當難以通過一次氧化工藝将空腔上方的矽全部氧化成氧化矽時，需要通過多次氧化步驟實現将空腔上方的矽全部氧化，具體為，進行次熱氧化生成一層氧化矽薄膜後，空腔上方為殘留的未氧化的矽以及在矽上生成的氧化矽薄膜，通過刻蝕工藝去除上方的氧化矽薄膜，保留空腔上方的矽，此時矽的厚度減小，繼續通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環工藝逐漸減小空腔上方矽的厚度，直至後一次熱氧化後空腔上方的矽全部生成氧化矽薄膜，由此實現上層氧化矽薄膜與下層矽通過空腔隔離。此時，溫度傳感器的基作完成。在一實施例中，在得到上述氧化矽薄膜後還可在氧化矽薄膜上形成氮化矽薄膜或者聚酰亞胺薄膜，由于氧化矽内部存在較大的應力，氧化矽薄膜容易斷裂，在氧化矽薄膜上面再澱積一層氮化矽薄膜或者聚酰亞胺薄膜，可以平衡氧化矽内部應力。使氧化矽薄膜結構更加穩定。步驟s：在所述氧化矽薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環境溫度。在溫度傳感器基作完成後，需要做基底上形成測溫單元，測溫單元是溫度傳感器的工作單元。

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再在高溫環境下進行退火，由于高溫環境下矽原子會發生遷移，矽原子發生遷移後矽片内部的結構會發生改變，之前的若幹溝槽會相互連通以在矽片内部形成一空腔結構。氧化空腔上部的矽片部分可以得到所需的氧化矽薄膜，然後在氧化矽薄膜上澱積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化矽薄膜和位于空腔下部的矽，即氧化矽薄膜和矽通過空腔隔開，基底下部的矽不會影響上部氧化矽的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝将基底下部的矽刻蝕掉，從而縮短産品制備的時間，且節約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度範圍為μm～1μm，所述溝槽的深度範圍為1μm～10μm，所述相鄰溝槽之間的間隔範圍為μm～1μm。在其中一個實施例中，所述熱退火具體為在氫氣環境中熱退火，所述熱退火的溫度為1000℃。在其中一個實施例中，在得到所述氧化矽薄膜後還包括在所述氧化矽薄膜上形成氮化矽薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中，在所述氧化矽薄膜上形成測溫單元具體為：在所述氧化矽薄膜上澱積一層金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續弓字形結構。深圳美信美溫度傳感器測試好。佛山進口溫度傳感器哪家公司大

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